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Diodes新型MOSFET晶片高度減少50%


格雷创科技 / 2012-05-06

Diodes 公司近日推出了一系列採用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4mm,面积只有4mm2,是一款额定电压为 -25V的P通道元件,较同类型元件薄50%。同系列的另一款採用DFN2020E封装的MOSFET具有0.5mm离板高度,较其他一般离板高度为0.6mm的MOSFET薄20%。

DMP2039UFDE4针对负载开关应用,为电路设计人员提供3kV的电路保护,以免被人体所发出的静电放电所影响。这些最新推出的MOSFET拥有低典型RDS(on) 的特性,例如 -12V P通道的DMP1022UFDE,在4.5V的VGS下只有13mΩ,把电池充电应用的损耗减至最少。

20V N通道的DMN2013UFDE在DC/DC降压和升压转换器内,达到理想的负载开关或者高速开关,并且提供一个2kV高静电放电保护额定。DMN6040UFDE将会是首批採用DFN2020封装的高电压MOSFET之一,可在60V的VDS 下运作,并适合小型化(Small form-factor)工业及热通风与空气调节系统 (HVAC) 控制使用。

新产品特别适合薄型可携式产品设计,例如智慧型手机、平板电脑和数位照相机。九款MOSFET的首批系列包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET和12V、20V及60V的 N通道MOSFET。

Diodes简介

Diodes Incorporated为标普小型股600指数 (S&P SmallCap 600 Index) 及罗素3000指数公司,活跃于全球离散、逻辑及类比半导体市场,致力製造及供应优质的特殊应用标准产品,服务消费性电子、电脑、通讯、工业及汽车等不同市场。Diodes的产品包括二极管、整流器、电晶体、MOSFET、保护设备、特殊功能阵列、单闸逻辑、放大器和比较器、霍尔效应及温度应传感器,以及涵盖LED驱动器、直流-直流切换和线性稳压器、电压参考的功率管理元件,以至USB电源开关、负载开关、电压监控程式及马达控制器等特殊功能元件。

Diodes公司总部、物流办事处及美国业务办事处位于美国德州普莱诺市,在普莱诺、圣荷西、台北、英国和德国设有设计、行销及研发中心;在密苏里州坎萨斯城及英国曼彻斯特设有晶圆製造厂;在上海设有两所製造厂、在德国诺伊豪斯设有一所,另于成都设有合资厂房;在台北、香港及曼彻斯特设有研发、业务、仓库及物流办事处;并在世界各地设有业务与支援办事处。

有关进一步的详尽资讯,包括美国证监会存档,可浏览该公司网站。 
 

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